我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

產(chǎn)品型號：
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
更新時間：2025-11-21
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產(chǎn)品詳情/ PRODUCT DETAIL

標(biāo)題：金硅面壘型半導(dǎo)體探測器

產(chǎn)品概述

我公司生產(chǎn)部分耗盡型金硅面壘型半導(dǎo)體探測器，A 系列具有高能量分辨率、窗薄等特點，適用于對能譜要求高的場合，如氡釷分析儀等，B 系列在A 系列的窗前鍍上一個保護(hù)層，克服了易損壞、窗不能擦試等缺點適用于對能量分辨率要求不高，作為放射性強(qiáng)度測量的探測器。

型號	工作電壓	對比ORTEC U-016-300-100 型探測器（Am-241 面源）真空下測量能量分辯率1.2%	對比ORTEC U-016-300-100 型探測器（Am-241 面源）真空下測量峰道址 202
A-AS20	5~300VDC	大于1000	204~206
A-AS26	5~300VDC	大于1000	204~206
B-AS20	5~300VDC	大于1000	189-191
B-AS26	5~300VDC	大于1000	189-191